Токаев принял представителя Финкорпорации США по международному развитию
Касым-Жомарт Токаев принял исполнительного директора Финансовой корпорации США по международному развитию Бена Блэка, сообщила пресс-служба Акорды.
Президент Казахстана отметил, что визит гостя является продолжением договорённостей, достигнутых в Вашингтоне, и важным шагом к углублению многогранного сотрудничества. Как подчеркнул Касым-Жомарт Токаев, с приходом администрации президента Дональда Трампа взаимодействие заметно активизировалось.
"Казахстан играет активную роль в продвижении ключевых американских инициатив, включая Соглашения Авраама, Совет мира, инициативу TRIPP и другие проекты. В совокупности эти усилия придали новый импульс нашему расширенному стратегическому партнёрству, которое сегодня прочно как никогда. Ваш визит проходит в период глубоких политических и экономических преобразований в Казахстане. Эти реформы направлены на переход нашей страны от ресурсозависимой модели к диверсифицированной экономике, основанной на знаниях. Инвестиционные приоритеты вашей корпорации тесно перекликаются с повесткой развития Казахстана, и мы готовы к практическому и взаимовыгодному сотрудничеству", – заявил президент.
Бен Блэк поблагодарил за тёплый приём и отметил продуктивность и содержательность встреч, проведённых в Алматы с деловым сообществом Казахстана. Касым-Жомарт Токаев подчеркнул важность этих встреч в контексте укрепления двусторонних отношений, обратив особое внимание на необходимость перевода в практическую плоскость достигнутых договорённостей. Глава государства подтвердил готовность казахстанской стороны к предметной реализации совместных инвестиционных проектов.
В ходе встречи собеседники обсудили перспективы сотрудничества в сферах критически важных минералов, транспортной взаимосвязанности, агропромышленного комплекса, цифровизации и искусственного интеллекта. Отдельно рассмотрели вопрос открытия постоянного представительства Финансовой корпорации США по международному развитию в Казахстане.
Токаев поздравил Трампа с днём рождения
Учёные из США создали новые материалы для устройств следующего поколения